松下電工在半導體繼電器“PhotoMOS系列”產品中追加了高容量、低導通電阻的“PhotoMOSSOP高容量”款型,2006年9月15日上市。包括負載電壓為60V“SOP(小外形封裝)4引腳”和80V的“SOP6引腳”2款,容量均為1.25A、原來的2.5倍。導通電阻方面,前者為0.2Ω、約為原來的1/4,后者為0.09Ω、約為原來的1/9。面向計測設備、電源、安全設備等要求長壽命的電路。{TodayHot}
普通的半導體繼電器很難兼顧高容量和低導通電阻,當要求高容量/低導通電阻時,一般采用機械繼電器。但是,由于機械繼電器的接點壽命短,在開閉頻率高的場合,需要頻繁地更換。因此,松下電工通過新開發輸出端的MOSFET,開發成功了兼顧高容量和低導通電阻的半導體繼電器。可滿足設備的小型化及高密度封裝要求。
PhotoMOS繼電器由MOSFET、LED及光感應器件組成。工作原理如下:當訊號電流通過輸入接點時,LED發光,照射光感應器件。光感應器件根據受光量進行發電,為輸出部分的MOSFET柵極充電。當MOSFET柵極的電壓超過預設值時,MOSFET漏極與源極呈導通狀態,繼電器便開通。
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