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    半導體照明的“十一五”863重大項目代表了國內研發的最高水平，項目實施以來，我國LED外延材料、芯片制造、器件封裝、熒光粉等方面均已顯現具有自主技術產權的單元技術，部分核心技術具有原創性，初步形成了從上游材料、中游芯片制備、下游器件封裝及集成應用的比較完整的研發與產業體系，為我國LED產業做大做強在一定程度上奠定了基礎。

    國家半導體照明工程項目的實施，對推動我國半導體照明行業的發展，發揮了重要作用。

    截至到2008年底，國家半導體照明工程取得的重大進展情況如下：

    1、探索性、前沿性材料生長和器件研究出現部分原創性技術。

    國內已研制出280納米紫外LED器件，20毫安輸出功率達到毫瓦量級，處于國際先進水平；

    非極性氮化鎵的外延生長，X射線衍射半峰寬由原來的780弧秒下降至559弧秒，這一數值是目前國際上報道的最好結果之一；

    首次實現大面積納米和薄膜型光子晶格LED，20mA室溫連續驅動小芯片輸出功率由4.3mW提升至8mW；

    全磷光型疊層白光OLED發光效率已達到45流明/瓦;成功開發出6片型和7片型MOCVD樣機，正在進行工藝驗證。