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   近幾年來，由于國家及部分地方**的重視以及與LED行業相關的大學、研究所、企業均在資金、人力、物力方面投入較大，在LED技術上的研究成果及產業化方面均有很大的發展，但與國外先進水平相比還有一定的差距。

    兩類高亮度LED增長率逾50%

    近年來我國內地LED產業發展迅速，高亮度及白光LED的發展動態引人注目。高亮度及白光LED是指四元系AlGaInP發紅、橙、黃色的LED和GaN基發藍、綠、紫、紫外光的LED以及由藍(或紫、紫外)芯片加熒光粉或由多芯片組合而成的白光LED，這兩類高亮度LED近年來在我國內地發展非常迅速，增長率均超過50%。

    根據中國光學光電子行業協會光電器件分會的統計和分析估計，2005年全國從事LED的企業(不含外商投資企業)約2000多家，其中外延、芯片的研發和生產單位有30多家，封裝企業約600家，應用產品和配套企業有1600多家。從LED的原材料、外延、芯片、封裝、應用及相關配套件、設備儀表等，已形成較完善的LED產業鏈。無論是高亮度芯片或器件，發展速度都非常快，增長率分別超過100%和50%。

    高亮度芯片產量將超120億只

    LED的核心技術是外延、芯片制造技術，特別是高亮度LED和功率LED的核心技術。有關**部門及相關大學、研究所、企業均高度重視，投入大量資金、人力加以研究、開發和產業化，主要研究機構有北大、清華、南昌大學、中科院半導體所、物理所、中電13所、華南師大、北京工大、深圳大學、山東大學、南京大學等，在技術上主要解決硅襯底上生長GaN外延層、GaN基藍光波長漂移、提高內量子效率和出光效率、提高抗光衰能力和功率芯片的散熱水平等等。

    目前已研發1W的功率LED芯片可產業化，其發光效率為30lm～40lm/W，最高可達47.5lm/W，單個器件發射功率為150mW，最高可達189mW。南昌大學近年來開展在硅襯底上生長GaN外延材料研究，該成果取得突破性進展，最近通過“863”項目驗收，并獲得多項有自主產權的國際發明專利。已研發的藍光芯片發射功率達7mW～8mW，最好為9mW～10mW，芯片成品率為80%，功率LED芯片在350mA下發射功率為100mW～150mW，最好可達150mW。在500mA、1000小時通電試驗下，藍光的光衰小于5%。

    國內LED外延、芯片的主要企業有：廈門三安、大連路美、深圳方大、上海藍光、上海藍寶、山東華光、江西聯創、南昌欣磊、上海金橋大晨、河北立德、河北匯能、深圳奧倫德、深圳世紀晶源、廣州普光、杭州士藍明芯、楊州華夏集成，甘肅新天電公司等。這些企業近年來在研發和工藝技術改進方面做了大量工作，在提高產品性能、成品率、工藝重復性、抗光衰和可靠性等方面做了大量工作，取得較好成果，保障了LED芯片的批量生產。